BUK7K6R8-40E,115_代理商_批发/采购【买卖IC网】BUK7K6R8-40E,115

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BUK7K6R8-40E,115
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
13949
22+
-
原装原厂现货

BUK7K6R8-40E,115
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT1205
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BUK7K6R8-40E,115
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
35
NEXPERIA
con
24+
-
场效应管

BUK7K6R8-40E,115
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
35
NEXPERIA
con
24+
-
场效应管

BUK7K6R8-40E,115
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
60750
Nexperia/安世
con
23+
-
现货常备，京北通宇查价https://w...

BUK7K6R8-40E,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK56D
18+
-
MOSFET 2N-CH 40V 40A...

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
BUK7K6R8-40E/LFPAK56D/REEL7//

BUK7K6R8-40E,115 技术参数

BUK7K6R2-40EX 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:32.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2210pF @ 25V 功率 - 最大值:68W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-1205，8-LFPAK56 供应商器件封装:LFPAK56D 标准包装:1 BUK7K5R6-30E,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.6 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:29.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1969pF @ 25V 功率 - 最大值:64W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-1205，8-LFPAK56 供应商器件封装:LFPAK56D 标准包装:1 BUK7K5R1-30E,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.1 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:31.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2352pF @ 25V 功率 - 最大值:68W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-1205，8-LFPAK56 供应商器件封装:LFPAK56D 标准包装:1 BUK7K52-60EX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:535pF @ 25V 功率 - 最大值:32W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-1205，8-LFPAK56 供应商器件封装:LFPAK56D 标准包装:1 BUK7K45-100EX 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:37.6 mOhm @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:25.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1533pF @ 25V 功率 - 最大值:53W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-1205，8-LFPAK56 供应商器件封装:LFPAK56D 标准包装:1 BUK7M19-60EX BUK7M21-40EX BUK7M22-80EX BUK7M27-80EX BUK7M33-60EX BUK7M42-60EX BUK7M45-40EX BUK7M67-60EX BUK7M6R3-40EX BUK7M8R0-40EX BUK7M9R9-60EX BUK7Y07-30B,115 BUK7Y08-40B,115 BUK7Y08-40B/C,115 BUK7Y102-100B,115 BUK7Y10-30B,115 BUK7Y113-100EX BUK7Y12-100EX

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