EPC27

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

EPC27I32
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
2669
ST
原厂
21+
-
百分百进口原装现货，价格有优势。

EPC2715
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/周小姐/曹先生
电话：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
73483
EPC
最新批次
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1/1页 40条/页共5条
1

您是不是要找： EPC2801 EPC2815 EPC2818 EPC2LC20 EPC2LC20N EPC2LI20 EPC2LI20N EPC2TC32 EPC2TC32N

EPC27 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

EPC27 PDF下载

制造商
TDK
制造商全称
TDK Electronics
功能描述
Ferrite Cores For Power Supply and Signal Transformer EPC Cores

EPC27 技术参数

EPC2111ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2111 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2110ENGRT 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 4A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 700μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2110 功能描述:MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 4A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 700μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）标准包装:1 EPC2108ENGRT 功能描述:TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:60V，100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.22nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:22pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR