HIP2211FBZ-T_代理商_批发/采购【买卖IC网】HIP2211FBZ-T

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

HIP2211FBZ-T
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
513482
RENESAS
con
24+
-
优势库存，原装正品

HIP2211FBZ-T
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
RENESAS
con
24+
-
集成电路（IC）

HIP2211FBZ-T
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
513482
RENESAS
con
24+
-

HIP2211FBZ-T
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
RENESAS
con
24+
-
集成电路（IC）

HIP2211FBZ-T
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
513482
RENESAS
con
24+
-

HIP2211FBZ-T
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
513482
RENESAS
con
24+
-
优势库存，原装正品

HIP2211FBZ-T
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
513482
RENESAS
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

HIP2211FBZ-T7A
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
245
Renesas
SOIC
20+
-
瑞智芯只做原装

HIP2211FBZ-T7A
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
100
RENESAS
SOIC
23+
-
瑞智芯只做原装上传有货

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： HIP-33B-MOUNT1E HIP4020IB HIP4020IBZ HIP4020IBZT HIP4080A/81AEVALZ HIP4080AEVAL HIP4080AIB HIP4080AIBT HIP4080AIBZ

HIP2211FBZ-T PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

HIP2211FBZ-T 技术参数

HIP2123FRTBZ-T 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP2123FRTBZ 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP2123FRTAZ-T 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP2123FRTAZ 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP2122FRTBZ-T 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP4080AIBZT HIP4080AIP HIP4080AIPZ HIP4081AIB HIP4081AIBT HIP4081AIBZ HIP4081AIBZT HIP4081AIP HIP4081AIPZ HIP4082EVAL HIP4082IB HIP4082IBT HIP4082IBZ HIP4082IBZT HIP4082IBZTR5676 HIP4082IP HIP4082IPZ HIP4083AB

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

在采购HIP2211FBZ-T进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

友情提醒：为规避购买HIP2211FBZ-T产品风险，建议您在购买HIP2211FBZ-T相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明：以上所展示的HIP2211FBZ-T信息由会员自行提供，HIP2211FBZ-T内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

HIP2211FBZ-T

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式