M28W800CT-100N6

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M28W800CT-100N6
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

M28W800CT-100N6
北京元坤伟业科技有限公司
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地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
TSOP
N/A
-
假一罚十，百分百原装正品

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1

您是不是要找： M-290 M-290-01 M-290-05 M290998 M29600/10RB98H1 M29600/10RH5H1 M29600/11RF98H1 M29600/11RF98J1 M29600/12RK26H1

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M28W800CT-100N6 技术参数

M28W640HSU70ZA6E 功能描述:IC FLASH MEM 64MB 3V 70NS TBGA64 RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 M28W640HST70ZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:4MX16 NOR FLASH PLASTIC IND TEMP PBF TBGA TOP 3.0V - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 64TFBGA M28W640HST70ZA6E 功能描述:IC FLASH MEM 64MB 3V 70NS TBGA64 RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 M28W640HSB70ZA6E 功能描述:IC FLASH MEM 64MB 3V 70NS TBGA64 RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 M28W640HCT70ZB6F 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ M29600/20RC12H1 M29600/20RC12J2 M29600/20RJ14J1 M29600/20RJ14J2 M29600/20RM38P1 M29600/20RP45H1 M29600/20RS121H1 M29600/20RS121H3 M29600/20RS121J1 M29600/20RU74H3 M29600/20RU74J2 M29600/22RG09J1 M29600/22RG19S1 M29600/22RG37J1 M29600/22RU41J3 M29DW127G70NF6E M29DW127G70NF6F TR M29DW127G70ZA6E