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MT29F64G08CBCDBJ4-6R 技术参数

MT29F64G08CBCBBH1-10:B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF VBGA 3.3V SYNCH/PAGE READ MASS S - Bulk MT29F64G08CBCABH1-12Z:A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF VBGA 3.3V SYNCH/PAGE READ MASS S - Bulk MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8GX8 NAND FLASH PLASTIC IND TEMP PBF VBGA 3.3V SYNCH/PAGE RE - Bulk MT29F64G08CBCABH1-12:A 功能描述:IC FLASH NAND 64GB 100VBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT29F64G08CBCABH1-10Z:A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8GX8 NAND FLASH PLASTIC PBF VBGA 3.3V SYNCH/PAGE READ MASS S - Bulk MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR MT29F64G08CBCGBWP-10M:G MT29F64G08CBCGBWP-10M:G TR MT29F64G08CBCGBWP-B:G MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR MT29F64G08CBCGBWP-BES:G MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D TR MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-R MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G TR MT29F64G08CECCBH1-12:C MT29F64G08CECCBH1-12:C TR MT29F64G08CECCBH1-12IT:C MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C TR MT29F64G08CECCBH1-12Z:C MT29F64G08CECCBH1-12Z:C TR