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PSMN017-30LL

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PSMN017-30LL
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
500
NXP
QFN3333
0949+
-
全新原装现货

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFETN CH30V15AQFN3333
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET,N CH,30V,15A,QFN3333
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET,N CH,30V,15A,QFN3333; Transistor Polarity

PSMN017-30LL 技术参数

PSMN017-30EL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:552pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:47W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 标准包装:50 PSMN017-30BL,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:552pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:47W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN016-100YS,115 功能描述:MOSFET N-CH LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:51A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:54nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2744pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:117W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16.3 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN016-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32.1A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2404pF @ 50V 功率 - 最大值:46.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 PSMN016-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:57A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:49nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2404pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:148W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN020-100YS,115 PSMN020-150W,127 PSMN020-30MLCX PSMN021-100YLX PSMN022-30BL,118 PSMN022-30PL,127 PSMN023-40YLCX PSMN023-80LS,115 PSMN025-100D,118 PSMN025-80YLX PSMN026-80YS,115 PSMN027-100BS,118 PSMN027-100PS,127 PSMN027-100XS,127 PSMN028-100YS,115 PSMN030-150B,118 PSMN030-150P,127 PSMN030-60YS,115