STL106D

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说明
操作

STL106D
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
TO-92-3
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

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功能描述
两极晶体管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

STL106D 技术参数

STL105NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:105A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 13.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2110pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL100NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4450pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（6x5）标准包装:3,000 STL100N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.1 欧姆 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3435pF @ 40V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL100N6LF6 功能描述:MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8900pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL100N1VH5 功能描述:MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 毫欧 @ 12.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:500mV @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2085pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL11N4LLF5 STL11N60M2-EP STL11N65M2 STL11N65M5 STL11N6F7 STL120N2VH5 STL120N4F6AG STL120N4LF6AG STL120N8F7 STL-1-250-3-01 STL-1-250-8-01 STL128D STL128DFP STL128DNFP STL12HN65M2 STL12N3LLH5 STL12N60M2 STL12N65M2