STS3C2F100

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STS3C2F100
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
30000
ST/意法
SOP-8
22+
-
原厂原装现货

STS3C2F100
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
LS现货
-
假一罚十，百分百原装正品

STS3C2F100
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/周小姐/曹先生
电话：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
91843
STMicroelectronics
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

STS3C2F100
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
8-SO
18+
-
MOSFET N/P-CH 100V 3...

STS3C2F100
深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
联系人：李小姐/肖先生
电话：0755-8257149682571956
地址：赛格广场69楼6900
资质：营业执照
5620
ST
SOP-8
21+
-
★绝对优势库存市场最低价！假一赔十★

1/1页 40条/页共21条
1

您是不是要找： STS3DNE60L STS3DPF60L STS3P6F6 STS4C3F60L STS4DNF30L STS4DNF60 STS4DNF60L STS4DNFS30 STS4DNFS30L

STS3C2F100 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STS3C2F100 PDF下载

功能描述
MOSFET N Ch 100V 0.110 OHM 3A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

STS3C2F100 技术参数

STS-31-DIS 功能描述:Temperature Sensor Digital, Local -40°C ~ 125°C 16 b 8-TDFN (2.5x2.5) 制造商:sensirion ag 系列:STS3 包装:剪切带（CT）零件状态:在售传感器类型:数字，本地检测温度 - 本地:-40°C ~ 125°C 检测温度 - 远程:- 输出类型:I2C 电压 - 电源:2.4 V ~ 5.5 V 分辨率:16 b 特性:- 精度 - 最高（最低）:±0.3°C 测试条件:25°C 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-TDFN（2.5x2.5）标准包装:1 STS30N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4040pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS-30-DIS 功能描述:Temperature Sensor Digital, Local 0°C ~ 65°C 16 b 8-TDFN (2.5x2.5) 制造商:sensirion ag 系列:STS3 包装:剪切带（CT）零件状态:在售传感器类型:数字，本地检测温度 - 本地:0°C ~ 65°C 检测温度 - 远程:- 输出类型:I2C 电压 - 电源:2.4 V ~ 5.5 V 分辨率:16 b 特性:- 精度 - 最高（最低）:±0.3°C 测试条件:25°C 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-TDFN（2.5x2.5）标准包装:1 STS2DPFS20V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:315pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS2DPF80 功能描述:MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:739pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS4DPF20L STS4DPF30L STS4DPFS30L STS4NF100 STS5DNF20V STS5DNF60L STS5DP3LLH6 STS5DPF20L STS5N15F3 STS5N15F4 STS5NF60L STS5P3LLH6 STS5PF20V STS5PF30L STS6NF20V STS6P3LLH6 STS6PF30L STS7C4F30L