THS5010KJ

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THS5010KJ
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/曹先生/高先生
电话：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
163474
TE Connectivity Passive P
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功能描述
线绕电阻器 - 底架安装 10 KOhms 50W 30PPM
RoHS
否
制造商
Vishay/Dale
电阻
7 Ohms
容差
1 %
功率额定值
100 W
温度系数
50 PPM / C
系列
RH
工作温度范围
- 55 C to + 250 C
尺寸
46.02 mm Dia. x 46.02 mm W x 88.9 mm L x 44.45 mm H
封装
Bulk
产品
Power Resistors Wirewound Aluminum Housed

THS5010KJ 技术参数

THS4631DR 功能描述:高速运算放大器 High Speed FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4631DGNRG4 功能描述:高速运算放大器 High Speed FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4631DGNR 功能描述:高速运算放大器 High Speed FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4631DGNG4 功能描述:高速运算放大器 High Speed FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4631DGNEVM 功能描述:THS4631 1 - Single Channels per IC General Purpose Amplifier Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:- 零件状态:有效每 IC 通道数:1 - 单放大器类型:通用输出类型:单端压摆率:1000 V/μs -3db 带宽:325MHz 电流 - 输出/通道:98mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 电流 - 电源（主 IC）:11.5mA 电压 - 电源，单/双（±）:10 V ~ 30 V，±5 V ~ 15 V 板类型:完全填充所含物品:板使用的 IC/零件:THS4631 标准包装:1 THS501K5J THS501R0J THS501R2J THS501R5J THS501R8J THS50220RJ THS5022KJ THS5022RJ THS50270RJ THS5027RJ THS502K2J THS502K7J THS502R0J THS502R2J THS502R7J THS50330RJ THS5033KJ THS5033RJ