2STC5200^STMICRO-CSP1

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2STC5200^STMICRO-CSP1 技术参数

2STC5200 功能描述:TRANS NPN 230V 15A TO-264 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:25 2STC4793 功能描述:TRANS NPN 230V 1A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 2STC4468 功能描述:TRANS NPN 140V 10A TO-3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 700mA，7A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 3A，4V 功率 - 最大值:100W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2STC4467 功能描述:TRANS NPN 120V 8A TO-3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 3A，4V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2STC2510 功能描述:TRANS NPN 100V 25A TO-3P 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1.2A，12A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 12A，4V 功率 - 最大值:125W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2STF1550 2STF2220 2STF2280 2STF2340 2STF2360 2STF2550 2STL1360 2STL1525 2STL2580 2STN1360 2STN1550 2STN2340 2STN2360 2STN2540 2STN2540-A 2STN2550 2STP535FP 2STR1160