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BD00C0AWFP-E2

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功能描述
低压差稳压器 - LDO LDO REG 5PIN 3V-15V 1A
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
最大输入电压
36 V
输出电压
1.4 V to 20.5 V
回动电压（最大值）
307 mV
输出电流
1 A
负载调节
0.3 %
输出端数量
输出类型
Fixed
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VQFN-20

BD00C0AWFP-E2 技术参数

BD00C0AWFP-CE2 功能描述:35V VOLTAGE RESISTANCE 1A LDO RE 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:在售输出配置:正输出类型:可调式稳压器数:1 电压 - 输入（最大值）:26.5V 电压 - 输出（最小值/固定）:1V 电压 - 输出（最大值）:15V 压降（最大值）:0.5V @ 500mA 电流 - 输出:1A 电流 - 电源（最大值）:50μA PSRR:55dB（120Hz）控制特性:使能保护功能:过流，超温工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-5 标准包装:1 BD00C0AWCP-V5E2 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: BCY79-X 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 2.5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:380 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 BCY79-VIII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 2.5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 BCY79-VII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 2.5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 BD00GA5WEFJ-E2 BD00GC0MEFJ-LBH2 BD00GC0MEFJ-ME2 BD00GC0WEFJ-E2 BD00HA3MEFJ-LBH2 BD00HA3MEFJ-ME2 BD00HA3WEFJ-E2 BD00HA5MEFJ-ME2 BD00HA5WEFJ-E2 BD00HC0MEFJ-ME2 BD00HC0WEFJ-E2 BD00HC5MEFJ-LBH2 BD00HC5MEFJ-ME2 BD00HC5WEFJ-E2 BD00IA5MEFJ-LBH2 BD00IA5MEFJ-ME2 BD00IA5WEFJ-E2 BD00IC0MEFJ-LBH2