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BSL207SP

配单专家企业名单
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  • 价格
  • 说明
  • 操作
BSL207SP PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • OptiMOS™
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
BSL207SP 技术参数
  • BSL207NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.1A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 2.1A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):419pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSL207NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,OptiMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.1A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 2.1A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):419pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP-6-1 标准包装:3,000 BSL205NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 2.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):419pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSL205NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,OptiMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 2.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):419pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:3,000 BSL202SNL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 7.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1147pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSL215CL6327HTSA1 BSL215PL6327HTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 BSL302SNH6327XTSA1 BSL302SNL6327HTSA1 BSL303SPEH6327XTSA1 BSL305SPEH6327XTSA1 BSL306NH6327XTSA1 BSL306NL6327HTSA1 BSL307SP BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPL6327HTSA1 BSL307SPT BSL308CH6327XTSA1 BSL308CL6327HTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEL6327HTSA1 BSL314PEH6327XTSA1
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