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JAN1N6139A

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  • JAN1N6139A
    JAN1N6139A

    JAN1N6139A

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人：张小姐/Vivianvi

    电话：0755-83286481

    地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • G

  • 23+

  • -

  • 微芯专营优势产品

  • JAN1N6139A
    JAN1N6139A

    JAN1N6139A

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人：彭小姐、刘先生、李小姐

    电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）

    地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质：营业执照

  • 5800

  • SEMTECH（美国）

  • T DAP 1500W 7.5V

  • 1650+

  • -

  • 只做原装 一手货源，代理商分销库存

  • JAN1N6139A
    JAN1N6139A

    JAN1N6139A

  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人：朱平

    电话：0755-83229772-83202753

    地址：办公地址 帮我改成 深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室

  • 122

  • MICROSEMI

  • 原厂

  • 21+

  • -

  • 百分百进口原装现货，价格有优势。

  • JAN1N6139A
    JAN1N6139A

    JAN1N6139A

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪先生

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 0

  • SEMTECH

  • con

  • 24+

  • -

  • 电子元件

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  • 1
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  • 制造商
  • Semtech Corporation
  • 功能描述
  • T DAP 1500W 7.5V
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TVS SGL BI-DIR 5.7V 1.5KW 2PIN G - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TVS DIODE 5.7VWM CPKG AXIAL
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TVS 1500W C-PKG AXIAL
JAN1N6139A 技术参数
  • JAN1N6139 功能描述:TVS DIODE 5.7VWM 11.76VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.7V 电压 - 击穿（最小值）:6.78V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.76V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:127.21A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:C，轴向 标准包装:1 JAN1N6138US 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 11.03VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.2V 电压 - 击穿（最小值）:6.14V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.03V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:135.66A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6138AUS 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 10.5VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.2V 电压 - 击穿（最小值）:6.46V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:142.8A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6138A 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 10.5VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.2V 电压 - 击穿（最小值）:6.46V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:142.8A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:C，轴向 标准包装:1 JAN1N6138 功能描述:TVS DIODE 5.2VWM 11.03VC 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.2V 电压 - 击穿（最小值）:6.14V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.03V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:135.66A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:C，轴向 标准包装:1 JAN1N6141US JAN1N6142 JAN1N6142A JAN1N6142AUS JAN1N6142US JAN1N6143 JAN1N6143A JAN1N6143AUS JAN1N6143US JAN1N6144 JAN1N6144A JAN1N6144AUS JAN1N6144US JAN1N6145 JAN1N6145A JAN1N6145AUS JAN1N6145US JAN1N6146
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