JAN1N6391全国供应商【买卖IC网】JAN1N6391资料|PDF Datasheet|价格 Microsemi

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

JAN1N6391
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
12500
CEWP
PDIP
24+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

JAN1N6391
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
DO-203AA
23+
-
微芯专营优势产品

JAN1N6391
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
MICROSEMI
原厂原装
23+
-
只做原装正品

JAN1N6391
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

JAN1N6391
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
86530
MICROSEMI
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

JAN1N6391
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1
MICROSEMI
主营优势
1739
-
100%原装正品★终端免费供样★

1/1页 40条/页共8条
1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SCHOTTKY 45V 25A 2PIN DO-4 - Bulk

JAN1N6391 技术参数

JAN1N6350 功能描述:Zener Diode 120V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:120V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:600 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 91V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6349 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:110V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 84V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6347 功能描述:Zener Diode 91V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:91V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:270 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 69V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6346 功能描述:Zener Diode 82V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:82V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:220 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 62V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N6345US 功能描述:Zener Diode 75V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6464US JAN1N6465 JAN1N6465US JAN1N6466 JAN1N6466US JAN1N6467 JAN1N6467US JAN1N6468 JAN1N6468US JAN1N6469 JAN1N6469US JAN1N6470 JAN1N6470US JAN1N6471 JAN1N647-1 JAN1N6471US JAN1N6472 JAN1N6472US