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JAN1N6472

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  • JAN1N6472
    JAN1N6472

    JAN1N6472

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:83617149

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 6

  • MICROSEMI

  • 2014+

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • JAN1N6472
    JAN1N6472

    JAN1N6472

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 5800

  • SEMTECH(美国)

  • T DAP UNI 1500W 15V

  • 1724+

  • -
  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

  • JAN1N6472
    JAN1N6472

    JAN1N6472

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83286481

    地址:坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • G

  • 23+

  • -
  • 微芯专营优势产品

  • JAN1N6472
    JAN1N6472

    JAN1N6472

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原装进口

  • -
  • 代理渠道可追溯现货库存F

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode TVS Single Uni-Dir 15V 1.5KW 2-Pin Case G
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TVS SGL UNI-DIR 15V 1.5KW 2PIN G - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi
  • 功能描述
  • Diode TVS Single Uni-Dir 15V 1.5KW 2-Pin Case G
JAN1N6472 技术参数
  • JAN1N6471US 功能描述:TVS DIODE 12VWM 22.6VC GSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/552 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):12V 电压 - 击穿(最小值):13.6V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:22.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):374A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,G 供应商器件封装:G-MELF(D-5C) 标准包装:1 JAN1N647-1 功能描述:Diode Standard 400V 400mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N6471 功能描述:TVS DIODE 12VWM 22.6VC GPKG AXL 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/552 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):12V 电压 - 击穿(最小值):13.6V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:22.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):374A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:G,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 JAN1N6470US 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11VC GSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/552 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):6V 电压 - 击穿(最小值):6.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:11V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):775A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,G 供应商器件封装:G-MELF(D-5C) 标准包装:1 JAN1N6470 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/552 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):6V 电压 - 击穿(最小值):6.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:11V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):775A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:G,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 JAN1N6485US JAN1N6490 JAN1N6490US JAN1N649-1 JAN1N6508 JAN1N6509 JAN1N6620 JAN1N6620U JAN1N6620US JAN1N6621 JAN1N6621U JAN1N6621US JAN1N6622 JAN1N6622U JAN1N6622US JAN1N6623 JAN1N6623U JAN1N6623US
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