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JAN1N6476

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  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人：彭小姐、刘先生、李小姐

    电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）

    地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质：营业执照

  • 5800

  • SEMTECH（美国）

  • T DAP UNI 1500W 51.6

  • 1711+

  • -

  • 只做原装 一手货源，代理商分销库存

  • JAN1N6476
    JAN1N6476

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  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人：张小姐/Vivianvi

    电话：0755-83286481

    地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • G

  • 23+

  • -

  • 微芯专营优势产品

  • JAN1N6476
    JAN1N6476

    JAN1N6476

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人：朱小姐

    电话：83617149

    地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质：营业执照

  • 75

  • Microsemi HI-REL [MIL]

  • 2016+

  • -

  • 公司现货！只做原装！

  • JAN1N6476US
    JAN1N6476US

    JAN1N6476US

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪先生

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 0

  • SEMTECH

  • con

  • 24+

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (TVS) - Bulk
JAN1N6476 技术参数
  • JAN1N6475US 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM GSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/552 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:40.3V 电压 - 击穿（最小值）:43.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:63.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:135A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C） 标准包装:1 JAN1N6475 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM GPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/552 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:40.3V 电压 - 击穿（最小值）:43.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:63.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:135A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:G，轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 JAN1N6474US 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM GSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/552 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:30.5V 电压 - 击穿（最小值）:33V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:181A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C） 标准包装:1 JAN1N6474 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM GPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/552 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:30.5V 电压 - 击穿（最小值）:33V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:181A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:G，轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 JAN1N6473US 功能描述:TVS DIODE 24VWM 41.4VC GSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/552 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:24V 电压 - 击穿（最小值）:27V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:207A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C） 标准包装:1 JAN1N6620US JAN1N6621 JAN1N6621U JAN1N6621US JAN1N6622 JAN1N6622U JAN1N6622US JAN1N6623 JAN1N6623U JAN1N6623US JAN1N6624 JAN1N6624U JAN1N6624US JAN1N6625 JAN1N6625U JAN1N6625US JAN1N6626 JAN1N6626U
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