KBZ-500、630/1140(660)(Y)矿用隔爆型(移动变电站)真空馈电

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KBZ-500、630/1140(660)(Y)矿用隔爆型(移动变电站)真空馈电技术参数

KBVW006A0B41Z 功能描述:DC DC CONVERTER 12V 6A 制造商:ge critical power 系列:Barracuda?? 包装:散装零件状态:有效类型:中间总线转换器输出数:1 电压 - 输入（最小值）:36V 电压 - 输入（最大值）:75V 电压 - 输出 1:12V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:6A 功率（W） - 制造系列:72W 电压 - 隔离:2.25kV（2250V）应用:ITE（商业）特性:远程开/关，OCP，OTP，OVP，UVLO 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP 模块，1/16 砖大小/尺寸:2.28" 长 x 0.90" 宽 x 0.31" 高（57.9mm x 22.8mm x 7.9mm）工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:90.5% 功率（W） - 最大值:72W 标准包装:75 KBU8M 功能描述:DIODE BRIDGE 1000V 8A KBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:1000V 电流 - DC 正向（If）:8A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBU 供应商器件封装:KBU 标准包装:300 KBU8J 功能描述:DIODE BRIDGE 600V 8A KBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - DC 正向（If）:8A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBU 供应商器件封装:KBU 标准包装:300 KBU8G 功能描述:DIODE BRIDGE 400V 8A KBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 8A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBU 供应商器件封装:KBU 标准包装:300 KBU8A 功能描述:DIODE BRIDGE 50V 8A KBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - DC 正向（If）:8A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBU 供应商器件封装:KBU 标准包装:300 KC-11/12VDC KC11A10.001NLF KC11B10.001NLF KC-12 KC-12/12VDC KC12A13.001NLS KC12A30.001NPS KC12A7.001NPS KC13A13.001NPS KC13A7.001NLS KC-14 KC-14/12VDC KC14A38.001NPS KC14A9.501NLS KC14A9.501NPS KC-15 KC-15/12VDC KC15A13.001NPF