LET9060F射频功率晶体管LDMOS

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LET9060F射频功率晶体管LDMOS 技术参数

LET9060F 功能描述:MOSFET N-CH 80V 12A M-250 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:75W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:M250 供应商器件封装:M250 标准包装:25 LET9060C 功能描述:MOSFET N-CH 80V 12A M-243 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:75W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:M243 供应商器件封装:M243 标准包装:25 LET9060 功能描述:IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:17.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA 功率 - 输出:60W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）标准包装:50 LET9045S 功能描述:TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA 功率 - 输出:59W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）标准包装:50 LET9045F 功能描述:FET RF LDMOS 80V 9A M-250 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:28V 额定电流:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA 功率 - 输出:59W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:M250 供应商器件封装:M250 标准包装:25 LEV100A4ANH LEV100A5ANG LEV100A7ANH LEV100H5ANG LEV200A4ANA LEV200A4ANF LEV200A4NAA LEV200A4NAF LEV200A4NAF01 LEV200A5ANA LEV200A5NAA LEV200A5NAF LEV200A6NAF LEV200A9ANA LEV200ABNAA LEV200ALANA LEV200AOANA LEV200H4ANA