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LET9150

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    LET9150

    LET9150

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 65

  • STMICROEL

  • 散装

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

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  • 功能描述
  • 射频MOSFET电源晶体管 RF Power LdmoST 150W 20 dB 860MHz
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Freescale Semiconductor
  • 配置
  • Single
  • 晶体管极性
  • 频率
  • 1800 MHz to 2000 MHz
  • 增益
  • 27 dB
  • 输出功率
  • 100 W
  • 汲极/源极击穿电压
  • 漏极连续电流
  • 闸/源击穿电压
  • 最大工作温度
  • 封装 / 箱体
  • NI-780-4
  • 封装
  • Tray
LET9150 技术参数
  • LET9120 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18A M-246 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:860MHz 增益:18dB 电压 - 测试:32V 额定电流:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:150W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:M246 供应商器件封装:M246 标准包装:20 LET9070CB 功能描述:MOSF RF N CH 80V 12A M243 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:80W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:M243 供应商器件封装:M243 标准包装:25 LET9060TR 功能描述:RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:17.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA 功率 - 输出:60W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线） 标准包装:1 LET9060STR 功能描述:RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:17.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA 功率 - 输出:60W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线） 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线） 标准包装:1 LET9060S 功能描述:IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:17.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA 功率 - 输出:60W 电压 - 额定:80V 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线） 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线） 标准包装:50 LEV200A4NAF LEV200A4NAF01 LEV200A5ANA LEV200A5NAA LEV200A5NAF LEV200A6NAF LEV200A9ANA LEV200ABNAA LEV200ALANA LEV200AOANA LEV200H4ANA LEV200H5ANA LEV200H6ANA LEV200H9ANA LEV200HOANA01 LEV200L5ANF LEVER ASSY VG-L2 LEVER SG-L1
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