LQBRL3225T2R2M

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LQBRL3225T2R2M
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
6380
N/A
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LQBRL3225T2R2M
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
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LQBRL3225T2R2M 技术参数

LQB18NNR56J10D 功能描述:560nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 850 mOhm Max 0603 (1608 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:LQB18NN_10 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:铁氧体电感:560nH 容差:±5% 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:850 毫欧最大不同频率时的 Q 值:25 @ 25MHz 频率 - 自谐振:80MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0603（1608 公制）大小/尺寸:0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.037"（0.95mm）标准包装:1 LQB15NNR56J10D 功能描述:FIXED IND 560NH 300MA 730 MOHM 制造商:murata electronics north america 系列:LQB15 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:多层材料 - 磁芯:铁氧体电感:560nH 容差:±5% 额定电流:300mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:912.5 毫欧最大不同频率时的 Q 值:10 @ 25MHz 频率 - 自谐振:80MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0402（1005 公制）供应商器件封装:0402（1005 公制）大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.022"（0.55mm）标准包装:1 LQB15NNR22J10D 功能描述:FIXED IND 220NH 380MA 350 MOHM 制造商:murata electronics north america 系列:LQB15 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:多层材料 - 磁芯:铁氧体电感:220nH 容差:±5% 额定电流:380mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:437.5 毫欧最大不同频率时的 Q 值:10 @ 25MHz 频率 - 自谐振:80MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:25MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0402（1005 公制）供应商器件封装:0402（1005 公制）大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm）高度 - 安装（最大值）:0.022"（0.55mm）标准包装:1 LQA60A300C 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 300V 30A Through Hole TO-247-3 制造商:power integrations 系列:Qspeed?? 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:30A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.95V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:13.7ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:250μA @ 300V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AD 标准包装:30 LQA40T200C 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 20A Through Hole TO-220-3 制造商:power integrations 系列:Qspeed?? 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:17ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 200V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 LQG15HH12NH02D LQG15HH15NH02D LQG15HH18NH02D LQG15HH1N0C02D LQG15HH1N0S02D LQG15HH1N1C02D LQG15HH1N2C02D LQG15HH1N3C02D LQG15HH1N5C02D LQG15HH1N6C02D LQG15HH1N8C02D LQG15HH1N8S02D LQG15HH22NH02D LQG15HH27NH02D LQG15HH27NJ02D LQG15HH2N0C02D LQG15HH2N0S02D LQG15HH2N2C02D