L6385

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

L6385E
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
600
STM
ORIGONAL
16+
-
0.88264 USD,szpoweri...

2/5页 40条/页共229条
上一页 1 2 3 4 5 下一页

您是不是要找： L6385D L6385D013TR L6385E L6385ED L6385ED013TR L6386 L6386AD L6386ADTR L6386D

L6385 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

L6385 PDF下载

功能描述
功率驱动器IC Hi-Volt Hi-Low Side
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升时间
下降时间
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
电源电流
最大功率耗散
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube

L6385 技术参数

L6384ED013TR 功能描述:功率驱动器IC HV H-Bridge driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6384ED 功能描述:功率驱动器IC HV H-Bridge driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6384E 功能描述:功率驱动器IC HV H-Bridge driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6384D013TR 功能描述:功率驱动器IC Hi-Volt Half Bridge RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6384D 功能描述:功率驱动器IC Hi-Volt Half Bridge RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube L6386D013TR L6386E L6386ED L6386ED013TR L6387 L6387D L6387DTR L6387E L6387ED L6387ED013TR L6388 L6388D L6388D013TR L6388E L6388ED L6388ED013TR L6389ED L6389EDTR