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M29DW256G70ZA6FCT

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M29DW256G70ZA6FCT 技术参数

M29DW256G70ZA6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 M29DW256G70ZA6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 M29DW256G70NF6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) M29DW256G70NF6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) M29DW128F70ZA6F 功能描述:闪存 STD FLASH 128 MEG RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29DW323DB70ZE6F TR M29DW323DB7AN6F TR M29DW323DB90N6 M29DW323DT70N6E M29DW323DT70N6F M29DW323DT70N6F TR M29DW323DT70ZE6E M29DW323DT70ZE6F M29DW323DT70ZE6F TR M29DW640F70N6E M29DW640F70ZE6E M29DW641F60ZE6E M29DW641F70N6E M29DW641F70N6F M29DW641F70N6F TR M29F002BB70K6E M29F002BT70K6E M29F010B45K1