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MJD31B

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  • MJD31B
    MJD31B

    MJD31B

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 14468

  • ON

  • TO-251/252

  • 2024+

  • -
  • 绝对现货

  • MJD31B
    MJD31B

    MJD31B

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 5000

  • 0N/MOT

  • TO

  • 07/08+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • MJD31BT4
    MJD31BT4

    MJD31BT4

  • 深圳市源运电子商行
    深圳市源运电子商行

    联系人:林先生

    电话:15913992480

    地址:深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼

  • 45000

  • ST

  • SOT252

  • 16+

  • -
  • MJD31B
    MJD31B

    MJD31B

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-252

  • 最新批号

  • -
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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全称
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD31B 技术参数
  • MJD3055T4 功能描述:TRANS NPN 60V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):8V @ 3.3A,10A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD2955T4 功能描述:TRANS PNP 60V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):8V @ 3.3A,10A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD127T4 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 80mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD122T4 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 80mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD122-1 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 80mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:75 MJD31CT4 MJD31CT4-A MJD31CT4G MJD31CTF MJD31CTF_NBDD001 MJD31CTF_SBDD001A MJD31CUQ-13 MJD31T4G MJD32C MJD32C-13 MJD32CG MJD32CQ-13 MJD32CRL MJD32CRLG MJD32CT4 MJD32CT4-A MJD32CT4G MJD32CTF
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