MMBT5550LT3G全国供应商 MMBT5550LT3G资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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封装
批号
价格
说明
操作

MMBT5550LT3G
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
300
ON SEMICONDUCTOR
con
24+
-
晶体管

MMBT5550LT3G
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
300
ON SEMICONDUCTOR
con
24+
-
晶体管

MMBT5550LT3G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百正品现货电话010-621049...

MMBT5550LT3G
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
ON Semiconductor
原厂原封装
10+
-
假一罚十，百分百原装正品

MMBT5550LT3G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
137865
ON SEMICO
REEL
1521+
-
全新原装现货

MMBT5550LT3G
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
2000
ON
SOT23-3
23+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

MMBT5550LT3G
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
ON/安森美
SMD
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

MMBT5550LT3G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
69200
ON
SOT-23
18+
-
全新原装，优势库存

MMBT5550LT3G
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
30000
ON/安森美
SMD
20+
-
订货中可预订

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功能描述
两极晶体管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

MMBT5550LT3G 技术参数

MMBT4126-7 功能描述:TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，1V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 MMBT3906FZ-7B 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN060 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:435mW 频率 - 跃迁:280MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:X2-DFN0606-3 标准包装:1 MMBT3906,215 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:MMBT3906 标准包装:1 MMBT3906 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 MMBT3904-HF 功能描述:TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 MMBT5770 MMBT5771 MMBT589LT1G MMBT5962 MMBT6427 MMBT6427-7 MMBT6427-7-F MMBT6427LT1 MMBT6427LT1G MMBT6427LT3 MMBT6427LT3G MMBT6428 MMBT6428LT1 MMBT6428LT1G MMBT6429LT1 MMBT6429LT1G MMBT6515 MMBT6517LT1

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