MT29F8G08DAAWP-A

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MT29F8G08DAAWP-A
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联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
1177
MICRON
N A
2010
-
强势产品建议整包购买BR

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MT29F8G08DAAWP-A 技术参数

MT29F8G08BAAWP:A TR 功能描述:IC FLASH 8GBIT 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 MT29F8G08ADBDAH4-IT:D TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1GX8 NAND FLASH PLASTIC IND TE 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8GBIT 63VFBGA MT29F8G08ADBDAH4-IT:D 功能描述:IC FLASH NAND 8GB 63VFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:9M（256K x 36）速度:75ns 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14）包装:托盘其它名称:71V67703S75PFGI MT29F8G08ADBDAH4:D TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8GBIT 63VFBGA MT29F8G08ADBDAH4:D 功能描述:IC FLASH NAND 8GB 63VFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT29F8G16ABACAWP-IT:C MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR MT29F8G16ABBCAH4:C MT29F8G16ABBCAH4:C TR MT29F8G16ABBCAH4-IT:C MT29F8G16ABBCAH4-IT:C TR MT29F8G16ADADAH4:D MT29F8G16ADADAH4-IT:D MT29F8G16ADADAH4-IT:D TR MT29F8G16ADBDAH4:D MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR MT29F8G16ADBDAH4-IT:D MT29F8G16ADBDAH4-IT:D TR MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:A MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:A TR MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J TR