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深圳市时兴宇电子有限公司
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北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
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全新原装100%正品保证质量

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北京元坤伟业科技有限公司
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MT29F8G08FAB 技术参数

MT29F8G08BAAWP:A TR 功能描述:IC FLASH 8GBIT 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 MT29F8G08ADBDAH4-IT:D TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1GX8 NAND FLASH PLASTIC IND TE 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8GBIT 63VFBGA MT29F8G08ADBDAH4-IT:D 功能描述:IC FLASH NAND 8GB 63VFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:9M（256K x 36）速度:75ns 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14）包装:托盘其它名称:71V67703S75PFGI MT29F8G08ADBDAH4:D TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8GBIT 63VFBGA MT29F8G08ADBDAH4:D 功能描述:IC FLASH NAND 8GB 63VFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) MT29F8G16ABACAWP-IT:C MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR MT29F8G16ABBCAH4:C MT29F8G16ABBCAH4:C TR MT29F8G16ABBCAH4-IT:C MT29F8G16ABBCAH4-IT:C TR MT29F8G16ADADAH4:D MT29F8G16ADADAH4-IT:D MT29F8G16ADADAH4-IT:D TR MT29F8G16ADBDAH4:D MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR MT29F8G16ADBDAH4-IT:D MT29F8G16ADBDAH4-IT:D TR MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:A MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:A TR MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J TR

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