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MRF455

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  • 功能描述
  • 射频双极电源晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
  • RoHS
  • 制造商
  • M/A-COM Technology Solutions
  • 配置
  • Single
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 40
  • 最大工作频率
  • 30 MHz
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 25 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • 4 V
  • 集电极连续电流
  • 20 A
  • 最大直流电集电极电流
  • 功率耗散
  • 250 W
  • 封装 / 箱体
  • Case 211-11
  • 封装
  • Tray
MRF455 技术参数
  • MRF454 功能描述:TRANS RF NPN 25V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):25V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:12dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 5A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20A 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-11,2 型 供应商器件封装:211-11,2 型 标准包装:10 MRF448 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:14dB 功率 - 最大值:250W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):16A 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-11,2 型 供应商器件封装:211-11,2 型 标准包装:30 MRF429 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:15dB 功率 - 最大值:150W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):16A 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-11,2 型 供应商器件封装:211-11,2 型 标准包装:30 MRF428 功能描述:TRANS RF NPN 55V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):55V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:15dB 功率 - 最大值:150W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20A 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-11,2 型 供应商器件封装:211-11,2 型 标准包装:10 MRF426 功能描述:TRANS RF NPN 35V 3A 211-07 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):35V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:25dB 功率 - 最大值:25W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 1A,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-07 供应商器件封装:211-07、STYLE 1 标准包装:30 MRF555G MRF555GT MRF555T MRF559 MRF559G MRF559GT MRF559T MRF581 MRF5812 MRF5812G MRF5812GR1 MRF5812GR2 MRF5812R1 MRF5812R2 MRF581A MRF581AG MRF581G MRF586
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