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最大反向工作电压
最小击穿电压
最大击穿电压
测试电流
最大箝位电压
最大反向脉冲峰电流
最大漏电流
单向
双向
UNI
BI
VRWM(V)
VBRMIN(V)
VBR MAX(V)
IT(MA)
VC(V)
IPP(A)
IR(UA)
SMBJ5.0A
SMBJ5.0CA
KE
AE
5.0
6.40
7.25
10
9.2
65.2
800
SMBJ6.0A
SMBJ6.0CA
KG
AG
6.0
6.67
7.67
10.3
58.3
SMBJ6.5A
SMBJ6.5CA
KK
AK
6.5
7.22
8.30
11.2
53.6
500
SMBJ15A
SMBJ15CA
LM
BM
15.0
16.70
19.20
1
24.4
24.6
5
SMBJ18A
SMBJ18CA
LT
BT
18.0
20.00
23.30
29.2
20.5
SMBJ30A
SMBJ30CA
MK
CK
30.0
33.30
38.30
48.4
12.4
SMBJ33A
SMBJ33CA
MM
CM
33.0
36.70
42.20
53.5
11.3
SMBJ58A
SMBJ58CA
NG
DG
58.0
64.40
74.10
93.6
6.4
SMBJ60A
SMBJ60CA
NK
DK
60.0
66.70
76.70
96.8
6.2
瞬态电压抑制器二极管(也称为瞬态抑制二极管——TVS Diode)专门用于保护电子电路,以防受到 瞬变和过压的危害,例如:EFT(电气快速瞬变)以及ESD(静电放电)。瞬态抑制二极管是采用硅雪崩技术的器件,因其具有反应时间快(低钳位电压)、电容值较低和漏电流低等特点而被选用。 浪拓电子(LangTuo Electronics)提供的瞬态抑制二极管有贴片单向(单极)和双向(双极)二极管电路配置可供选择。
论评(共1条)