NX3008NBKT,115

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

NX3008NBKT,115
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
NXP Semiconductors
标准封装
15+
-
原装正品，假一罚十

NX3008NBKT,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SC-75
18+
-
MOSFET N-CH 30V SC-7...

NX3008NBKT,115
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
15000
NXP
N/A
假一赔十！
-
绝对原装现货！

NX3008NBKT,115
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
34300
NXP
SOT523
2012+PB
-
原装无铅样品可出

NX3008NBKT,115
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
11900
nxp
sot523
2017+pb
-
原装现货

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功能描述
MOSFET 30V 350 MA N-CH TRENCH MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

NX3008NBKT,115 技术参数

NX3008NBKSH 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V 功率 - 最大值:445mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 NX3008NBKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V 功率 - 最大值:445mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 NX3008NBKMB,315 功能描述:MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:530mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:3-DFN1006B（0.6x1）封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 NX3008NBK,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），1.14W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 NX3008CBKV,115 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA，220mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 NX301101 NX301102 NX301103 NX301104 NX301105 NX301106 NX301107 NX301108 NX301109 NX301110 NX301111 NX301112 NX301113 NX301114 NX301115 NX301116 NX301117 NX301118