NX3020NAKS115

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NX3020NAKS115
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3423
NXP
SOT363
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NX3020NAKS115 技术参数

NX3020NAKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.44nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:375mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 NX3020NAK,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 200MA TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.44nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300mW（Ta），1.06W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 NX301118 功能描述:HEATSINK R87-46 BRIDGELX VERO 29 制造商:aavid thermalloy 系列:SynJet? 包装:* 零件状态:有效类型:散热片配套使用产品/相关产品:Bridgelux Vero 29 形状:圆形标准包装:45 NX301117 功能描述:HEATSINK R87-60 BRIDGELX VERO 29 制造商:aavid thermalloy 系列:SynJet? 包装:* 零件状态:有效类型:散热片配套使用产品/相关产品:Bridgelux Vero 29 形状:圆形标准包装:45 NX301116 功能描述:HEATSINK R87-46 VERO 13/18 制造商:aavid thermalloy 系列:SynJet? 包装:* 零件状态:有效类型:散热片配套使用产品/相关产品:Bridgelux Vero 13/18 形状:圆形标准包装:45 NX30H-68P/CA-MD NX30H-68P/CA-MD(61) NX30H-68P/CK-MP NX30H-68P/CK-MP(01) NX30H-68P/CK-MP(61) NX30H-68P/CK-MP(62) NX30H-68P/IDCU-MP NX30H-68P/IDCU-MP(01) NX30H-68P/IDCU-MP(31) NX30H-68P/IDCU-MP(61) NX30H-68P/IDCU-MP(62) NX30P6090UKZ NX30P6093AUKZ NX30TA-15GP NX30TA-15HC NX30TA-15HC(61) NX30TA-15HC(62) NX30TA-15HC1