PDTC115TE,115

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PDTC115TE,115
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
NXP
原厂原装
1651+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

PDTC115TE,115
深圳市华芯盛世科技有限公司
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联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
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865000
PH3
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PDTC115TE,115
北京京华特科技有限公司
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联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2520
NXP
N/A ㊣品
N/A 全新进口
-
NXP原装特卖，数量随时变化下单需确认！

PDTC115TE,115
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
Philips Semiconducto
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

PDTC115TE,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SC-75
18+
-
TRANS PREBIAS NPN 15...

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功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN W/RES 50V
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶体管极性
NPN/PNP
典型输入电阻器
典型电阻器比率
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作频率
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
150 mA
峰值直流集电极电流
功率耗散
200 mW
最大工作温度
封装
Reel

PDTC115TE,115 技术参数

PDTC115ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:1 PDTC115EM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTC115 标准包装:1 PDTC115EEF,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:100k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SC-89 标准包装:1 PDTC115EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:100k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:100k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTC114YU,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323-3 基本零件编号:PDTC114 标准包装:1 PDTC123EM,315 PDTC123EMB,315 PDTC123ES,126 PDTC123ET,215 PDTC123ETVL PDTC123EU,115 PDTC123JE,115 PDTC123JK,115 PDTC123JM,315 PDTC123JMB,315 PDTC123JQAZ PDTC123JS,126 PDTC123JT,215 PDTC123JT,235 PDTC123JU,115 PDTC123JU/ZLX PDTC123TE,115 PDTC123TM,315