PH2925U,115全国供应商【买卖IC网】PH2925U,115资料|PDF Datasheet|价格 Nexperia USA Inc.

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PH2925U,115
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT669
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PH2925U,115
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
367072
NEXPERIA
con
24+
-

PH2925U,115
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
367072
NEXPERIA
con
24+
-

PH2925U,115
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
15000
NEXPERIA/安世
SOT669
-
授权代理/原厂FAE技术支持

PH2925U,115
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
367072
NEXPERIA
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

PH2925U,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

PH2925U,115
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
1979
PHI/
N/A
18+
-
进口原装特价出售

PH2925U,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，电源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 25V 100A...

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1

您是不是要找： PH2-L PH2R15-105GB3.9/2.8/1.5-U PH2R15-109GB3.9/2.8/1.5-U PH2S15-103GB3.9/2.8-U PH2-TL PH300 PH300A28012 PH300A28012/T PH300A28024

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功能描述
MOSFET N-CH TRENCH 25V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

PH2925U,115 技术参数

PH28F320W18BE60A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 60NS VFBGA PH2731-75L 功能描述:TRANSISTOR BIPOLAR 2.7-3.1GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:8.16dB ~ 8.86dB 功率 - 最大值:75W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:7A 安装类型:底座安装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:6 PH2729-25M 功能描述:TRANS BIPOLAR 25W 2.7-2.9GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:9.2dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 安装类型:底座安装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:6 PH2729-130M 功能描述:TRANSISTOR 130WPK 2.7-2.9GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:63V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:9.73dB ~ 8.85dB 功率 - 最大值:130W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12.5A 安装类型:底座安装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:6 PH2625L,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4308pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PH300A28024/T PH300A28028 PH300A28028/T PH300A28048 PH300A28048/T PH300F110-12 PH300F110-15 PH300F110-2 PH300F110-24 PH300F110-28 PH300F110-3 PH300F110-5 PH300F24-12 PH300F24-28 PH300F280-12 PH300F280-15 PH300F280-2 PH300F280-24