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PMCM650CUNEZ

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PMCM650CUNEZ
    PMCM650CUNEZ

    PMCM650CUNEZ

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • NAX000

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PMCM650CUNEZ
    PMCM650CUNEZ

    PMCM650CUNEZ

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • PMCM650CUNEZ
    PMCM650CUNEZ

    PMCM650CUNEZ

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 45000

  • NEXPERIA/安世

  • WLCSP63-2

  • -
  • 授权代理/原厂FAE技术支持

  • PMCM650CUNEZ
    PMCM650CUNEZ

    PMCM650CUNEZ

  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10

    资质:营业执照

  • 5150

  • Nexperia

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 授权分销商,可追溯原厂可含税

  • PMCM650CUNEZ
    PMCM650CUNEZ

    PMCM650CUNEZ

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Nexperia USA Inc.

  • 6-XFBGA,WLCSP

  • 21+

  • -
  • 质量保真,价格实惠,假一罚十

  • PMCM650CUNEZ
    PMCM650CUNEZ

    PMCM650CUNEZ

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 4500

  • NEXPERIA/安世

  • NA

  • 17+

  • -
  • 可订货,请确认

  • PMCM650CUNEZ
    PMCM650CUNEZ

    PMCM650CUNEZ

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 4500

  • NEXPERIA

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
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  • 功能描述
  • PMCM650CUNE NAX000 NONE
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • 2 N 沟道(双)共漏
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源电压(Vdss)
  • -
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • -
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • -
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 13nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • -
  • 功率 - 最大值
  • 556mW(Ta)
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 6-XFBGA,WLCSP
  • 供应商器件封装
  • 6-WLCSP(1.48x0.98)
  • 标准包装
  • 1
PMCM650CUNEZ 技术参数
  • PMCM6501VPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 12V 6WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.2A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):29.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1400pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):556mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 3A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-WLCSP(1.48x.98) 封装/外壳:6-XFBGA,WLCSP 标准包装:1 PMCM6501VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 6WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.3A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):24nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):920pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):556mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 3A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-WLCSP(1.48x.98) 封装/外壳:6-XFBGA,WLCSP 标准包装:1 PMCM440VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 4WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.9A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):8.2nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):360pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):67 毫欧 @ 3A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:4-WLCSP(0.78x0.78) 封装/外壳:4-XFBGA,WLCSP 标准包装:1 PMCM4401VPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 12V WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.9A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):415pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 3A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:4-WLCSP(2x2) 封装/外壳:4-XFBGA,WLCSP 标准包装:1 PMCM4401VNEAZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):9nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):335pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):42 毫欧 @ 3A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:4-WLCSP(2x2) 封装/外壳:4-XFBGA,WLCSP 标准包装:1 PMCXB900UE PMCXB900UELZ PMCXB900UEZ PMD PMD-0-9 PMD1204PBB1-A.(2).GN PMD1204PBB2-A.(2).GN PMD1204PBB3-A.(2).GN PMD1204PJB1-A PMD1204PJB3-A PMD1204PPB1-A(2) PMD1204PPB1-A.(2).GN PMD1204PPB2-A.(2).GN PMD1204PPB3-A.(2).GN PMD1204PPBX-A(2).Z.F.PWM.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.R.PWM.GN PMD1204PQB1-A (2)
配单专家

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