您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

PME261JC5470K

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PME261JC5470KR19T0
航亿捷科技有限公司
航亿捷科技有限公司
联系人：张小姐
电话：13760346044
地址：福田区华强广场C座29G
0
07+
2000
DIP
-

1/1页 40条/页共10条
1

您是不是要找： PME261JC5680KR30 PME261JC6100KR19T0 PME261JC6100KR30 PME261KE7100KR30 PME264NC5330MR30 PME264NE5470MR30 PME264NE5680MR30 PME264NE6100MR30 PME271E510MR30

PME261JC5470K PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PME261JC5470K PDF下载

制造商
Evox Rifa / KEMET
功能描述
制造商
KEMET Corporation
功能描述
Paper PCB mount cap,47nF 500Vac, 1kVdc
制造商
Evox Rifa / KEMET
功能描述
0.047UF 500VAC/1000VDC

PME261JC5470K 技术参数

PME261JB5330KR30 功能描述:0.033μF Film Capacitor 500V 1000V (1kV) Paper, Metallized Radial 0.728" L x 0.307" W (18.50mm x 7.80mm) 制造商:kemet 系列:PME261 包装:散装零件状态:有效电容:0.033μF 容差:±10% 额定电压 - AC:500V 额定电压 - DC:1000V（1kV）介电材料:纸，金属化 ESR（等效串联电阻）:- 工作温度:-40°C ~ 70°C 安装类型:通孔封装/外壳:径向大小/尺寸:0.728" 长 x 0.307" 宽（18.50mm x 7.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.531"（13.50mm）端接:PC 引脚引线间距:0.598"（15.20mm）应用:通用特性:- 标准包装:400 PME261JB5220KR30 功能描述:0.022μF Film Capacitor 500V Paper, Metallized Radial 0.728" L x 0.287" W (18.50mm x 7.30mm) 制造商:kemet 系列:PME261 包装:散装零件状态:有效电容:0.022μF 容差:±10% 额定电压 - AC:500V 额定电压 - DC:- 介电材料:纸，金属化 ESR（等效串联电阻）:- 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔封装/外壳:径向大小/尺寸:0.728" 长 x 0.287" 宽（18.50mm x 7.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.512"（13.00mm）端接:PC 引脚引线间距:0.598"（15.20mm）应用:EMI，RFI 抑制特性:- 标准包装:400 PMDXB950UPEZ 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PMDXB950UPELZ 功能描述:20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PMDXB950UPE 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN（1.1x1）标准包装:1 PME271E522MR30 PME271E547MR30 PME271E610MR30 PME271E622KR30 PME271ED6100MR30 PME271ED6150KR30 PME271ED6220KR30 PME271M422MR30 PME271M447MR30 PME271M510MR30 PME271M522MR30 PME271M533MR30 PME271M547MR19T0 PME271M547MR30 PME271M568MR30 PME271M610MR30 PME271M615KR30 PME271M622KR30