PMPB20EN,115全国供应商【买卖IC网】PMPB20EN,115资料|PDF Datasheet|价格 Nexperia USA Inc.

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型号
供应商
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厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMPB20EN,115
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
DFN-2020MD-6
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PMPB20EN,115
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
NXP/恩智浦
SOT1220
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PMPB20EN,115
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
367522
NEXPERIA
con
24+
-

PMPB20EN,115
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
367522
NEXPERIA
con
24+
-

PMPB20EN,115
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
NXP
SOT1220
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PMPB20EN,115
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
62504
NEXPERIA/安世
SOT1220
22+
-
18万条库存，一站式配齐

PMPB20EN,115
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
367522
NEXPERIA
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

PMPB20EN,115
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10
资质：营业执照
61777
Nexperia
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

PMPB20EN,115
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT1220
15+
-
原装正品，价格优势！

PMPB20EN,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
6-DFN2020MD（2x2）
18+
-
MOSFET N-CH 30V 7.2A...

PMPB20EN,115
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
2878
NEXPERIA/安世
SOT1220
20+
-
现货库存超1.5亿

PMPB20EN,115
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
12500
NEXPERIA/安世
SOT1220
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN EP T/R
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
PMPB20EN/SOT1220/REEL7// - Tape and Reel
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N-CH 30V SOT1220
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
30V N-channel Trench MOSFET

PMPB20EN,115 技术参数

PMPB19XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:43.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2890pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22.5 毫欧 @ 7.2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB16XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 7.2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:775pF @ 15V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）标准包装:1 PMPB15XPH 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.2A（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2875pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 8.2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB15XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2875pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 8.2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB15XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.3A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1240pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 7.3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-DFN2020MD（2x2）封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMPB23XNE,115 PMPB23XNEZ PMPB25ENEAX PMPB27EP,115 PMPB29XNE,115 PMPB29XPE,115 PMPB33XN,115 PMPB33XP,115 PMPB40ENAX PMPB40SNA,115 PMPB43XPE,115 PMPB45EPAX PMPB47XP,115 PMPB48EP,115 PMPB50ENEAX PMPB55ENEAX PMPB55XNEAX PMPB85ENEA/FX

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