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PMV40UN,215

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
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  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PMV40UN,215
    PMV40UN,215

    PMV40UN,215

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 7500

  • NXP

  • 原厂原装

  • 1708+

  • -
  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

  • PMV40UN,215
    PMV40UN,215

    PMV40UN,215

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 17800

  • NXP

  • SOT23

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • PMV40UN,215
    PMV40UN,215

    PMV40UN,215

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • TY/台灣半導体

  • SOT23-3

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PMV40UN,215
    PMV40UN,215

    PMV40UN,215

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • NXP

  • SOT23-3

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • PMV40UN,215
    PMV40UN,215

    PMV40UN,215

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 638850

  • NXP

  • SOT23

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,价格超越代理!

  • PMV40UN,215
    PMV40UN,215

    PMV40UN,215

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • PHI

  •  

  •  

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • PMV40UN,215
    PMV40UN,215

    PMV40UN,215

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • SOT-23(TO-236AB)

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 30V 4.9A...

  • PMV40UN,215
    PMV40UN,215

    PMV40UN,215

  • 甄芯网
    甄芯网

    联系人:柯先生/赵小姐

    电话:0755-83665813

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部:中航路都会电子3C002B

    资质:营业执照

  • 12000

  • NXP

  • N/A

  • -
  • 低至:¥0.651[国外订货]

  • PMV40UN,215
    PMV40UN,215

    PMV40UN,215

  • 深圳市泽芯微科技有限公司
    深圳市泽芯微科技有限公司

    联系人:柯小姐

    电话:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亚洲国利大厦A座24层12室

  • 11800

  • nxp

  • sot23

  • 2017+pb

  • -
  • 进口原装现货,一定自己库存

PMV40UN,215 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH TRENCH 30V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
PMV40UN,215 技术参数
  • PMV37EN2R 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):6.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):209pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):510mW(Ta), 5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):36 毫欧 @ 4.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMV37EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):36 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):330pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:1 PMV35EPER 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.3A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):19.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):793pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):480mW(Ta), 1.2W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 4.2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMV33UPE,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):22.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):490mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):36 毫欧 @ 3A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMV32UP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):15.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1890pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):510mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):36 毫欧 @ 2.4A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMV48XPAR PMV48XPVL PMV50ENEAR PMV50EPEAR PMV50UPE,215 PMV50UPEVL PMV50XPR PMV55ENEAR PMV56XN,215 PMV60EN,215 PMV62XN,215 PMV6-35RB-2K PMV6-3RB-2K PMV6-3R-L PMV6-3R-X PMV6-4FB-2K PMV6-4F-L PMV6-4RB-2K
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