PMV48XP 贴片三极管

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PMV48XP 贴片三极管
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
117000
NXP/恩智浦
SOT-23
2017+
-
授权代理/原厂FAE技术支持

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PMV48XP 贴片三极管技术参数

PMV45EN2R 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:209pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）, 5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:42 毫欧 @ 4.1A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV45EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:42 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 PMV450ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:800mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:101pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:323mW（Ta）, 554mW（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 900mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV42ENER 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:281pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）, 5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:36 毫欧 @ 4.4A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV40UN2R 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:635pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:44 毫欧 @ 3.7A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV55ENEAR PMV56XN,215 PMV60EN,215 PMV62XN,215 PMV6-35RB-2K PMV6-3RB-2K PMV6-3R-L PMV6-3R-X PMV6-4FB-2K PMV6-4F-L PMV6-4RB-2K PMV6-4R-L PMV6-4R-X PMV65ENEAR PMV6-5FB-2K PMV6-5F-L PMV6-5RB-2K PMV6-5R-L