您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > P字母型号搜索 >

PMVF370XN

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PMVF370XN
    PMVF370XN

    PMVF370XN

  • 深圳市奥伟斯科技有限公司
    深圳市奥伟斯科技有限公司

    联系人:江小姐 ADS触摸芯片一级代理

    电话:0755-83254770

    地址:深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层

    资质:营业执照

  • 30000

  • NXP

  • SOT323

  • 18+

  • -
  • 专业SMD MOS

  • PMVF370XN
    PMVF370XN

    PMVF370XN

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NEXPERIA/安世

  • SOT-323

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • PMVF370XN
    PMVF370XN

    PMVF370XN

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • NEXPERIA

  • SOT323

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • PMVF370XN
    PMVF370XN

    PMVF370XN

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • TY/台灣半導体

  • SOT323-3

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
PMVF370XN PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
PMVF370XN 技术参数
  • PMV90ENER 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):460mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):72 毫欧 @ 3A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMV90EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):84 毫欧 @ 1.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):132pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:1 PMV75UP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):490mW(Ta), 5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):102 毫欧 @ 2.5A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMV65XPER 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):9nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):618pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):480mW(Ta), 6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):78 毫欧 @ 2.8A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMV65XPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):9nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):618pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):480mW(Ta), 6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):78 毫欧 @ 2.8A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMXB350UPEZ PMXB360ENEA PMXB360ENEAZ PMXB40UNE PMXB40UNEZ PMXB43UNE PMXB43UNEZ PMXB56EN PMXB56ENZ PMXB65ENE PMXB65ENEZ PMXB65UPEZ PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45
配单专家

在采购PMVF370XN进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买PMVF370XN产品风险,建议您在购买PMVF370XN相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的PMVF370XN信息由会员自行提供,PMVF370XN内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号