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PMWD19UN

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PMWD19UN
    PMWD19UN

    PMWD19UN

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • PMWD19UN
    PMWD19UN

    PMWD19UN

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • PMWD19UN,518
    PMWD19UN,518

    PMWD19UN,518

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • NXP

  • 8-TSSOP

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • PMWD19UN
    PMWD19UN

    PMWD19UN

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 2500

  • NXP/恩智浦

  • SMD

  • 23+

  • -
  • 百分百进口原装环保整盘

  • PMWD19UN,518
    PMWD19UN,518

    PMWD19UN,518

  • 深圳市新良宇电子有限公司
    深圳市新良宇电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8323763213302457603

    地址:福田区振兴路华匀大厦221室

  • 56912

  • NXP Semiconductors

  • MOSFET N-CH TRENCH D

  • 23+

  • -
  • 原装现货欢迎来电查询!

  • PMWD19UN
    PMWD19UN

    PMWD19UN

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-88608801多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9800

  • PHI

  • TSSOP-8

  • 18+

  • -
  • 优势库存,原装现货

  • PMWD19UN,518
    PMWD19UN,518

    PMWD19UN,518

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • 8-TSSOP

  • 18+

  • -
  • MOSFET 2N-CH 30V 5.6...

  • PMWD19UN
    PMWD19UN

    PMWD19UN

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 2300

  • NXP

  • ROHS

  • 13+

  • -
  • 全新原装正品 欢迎来电0755-8286...

  • PMWD19UN
    PMWD19UN

    PMWD19UN

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 1500

  • PHI

  • TSSOP-8

  • 13+

  • -
  • 全新原装,现货,价优!

  • PMWD19UN
    PMWD19UN

    PMWD19UN

  • 甄芯网
    甄芯网

    联系人:柯先生/赵小姐

    电话:0755-83665813

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部:中航路都会电子3C002B

    资质:营业执照

  • 4480

  • NXP

  • SMD

  • 06+

  • -
  • 原装PBFREE

  • 1/1页 40条/页 共27条 
  • 1
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N TSSOP-8
PMWD19UN 技术参数
  • PMWD16UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.9A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 3.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1366pF @ 16V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 PMWD15UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18.5 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1450pF @ 16V 功率 - 最大值:4.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 PMV90ENER 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):460mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):72 毫欧 @ 3A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMV90EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):84 毫欧 @ 1.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):132pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:1 PMV75UP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):490mW(Ta), 5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):102 毫欧 @ 2.5A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 PMXB360ENEAZ PMXB40UNE PMXB40UNEZ PMXB43UNE PMXB43UNEZ PMXB56EN PMXB56ENZ PMXB65ENE PMXB65ENEZ PMXB65UPEZ PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45 PM-Y45-C3 PM-Y45-P
配单专家

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