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PSMN0R9-25YLC,115

配单专家企业名单
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  • PSMN0R9-25YLC,115
    PSMN0R9-25YLC,115

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  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

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  • NEXPERIA/安世

  • LFPAK56-5

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  • PSMN0R9-25YLC,115
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

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  • PSMN0R9-25YLC,115
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 367171

  • NEXPERIA

  • con

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  • -
  • PSMN0R9-25YLC,115
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 367171

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • PSMN0R9-25YLC,115
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

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  • LFPAK, 电源-SO8

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  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

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  • PSMN0R9-25YLC,115
    PSMN0R9-25YLC,115

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  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1500

  • NEXPERIA

  • 主营优势

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PSMN0R9-25YLC,115 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 25V 0.99 mOhms
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
PSMN0R9-25YLC,115 技术参数
  • PSMN0R7-25YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 25V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):110.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):8320pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):158W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):0.72 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SOT-1023,4-LFPAK 标准包装:1 PSMN075-100MSEX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tj) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):16.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):773pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):65W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):71 毫欧 @ 5A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线) 标准包装:1 PSMN070-200P,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):77nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4570pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):250W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 17A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN070-200B,118 功能描述:MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):77nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4570pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):250W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 17A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN069-100YS,115 功能描述:MOSFET N-CH LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):14nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):645pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):56W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):72.4 毫欧 @ 5A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN1R0-40ULDX PSMN1R0-40YLDX PSMN1R1-25YLC,115 PSMN1R1-30EL,127 PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-40BS,118 PSMN1R2-25YL,115 PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLDX PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R4-30YLDX PSMN1R4-40YLDX PSMN1R5-25YL,115 PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YLC,115
配单专家

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