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PSMN1R0-40YLD

配单专家企业名单
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  • PSMN1R0-40YLDX
    PSMN1R0-40YLDX

    PSMN1R0-40YLDX

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1023

  • 2021+

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  • PSMN1R0-40YLDX
    PSMN1R0-40YLDX

    PSMN1R0-40YLDX

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

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  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN1R0-40YLDX
    PSMN1R0-40YLDX

    PSMN1R0-40YLDX

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 366996

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

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  • PSMN1R0-40YLDX
    PSMN1R0-40YLDX

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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 366996

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN1R0-40YLDX
    PSMN1R0-40YLDX

    PSMN1R0-40YLDX

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 366996

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

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  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • PSMN1R0-40YLD
    PSMN1R0-40YLD

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  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-292759351581559886118576729816

    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

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  • NXP

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK, 电源-SO8

  • 18+

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  • MOSFET N-CH 40V 100A...

  • PSMN1R0-40YLDX
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 10235

  • NXP SEMIC

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  • 全新原装现货

  • PSMN1R0-40YLDX
    PSMN1R0-40YLDX

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  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1500

  • NEXPERIA

  • 主营优势

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  • PSMN1R0-40YLD
    PSMN1R0-40YLD

    PSMN1R0-40YLD

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 3958

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  • SOT669

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  • PSMN1R0-40YLD
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  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    联系人:

    电话:18320850923

    地址:深圳市福田区华强北路赛格广场1713室

  • 50000

  • 19+

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  • 全新进口原装现货

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PSMN1R0-40YLD PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
PSMN1R0-40YLD 技术参数
  • PSMN1R0-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):121.35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):8598pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):238W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.02 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN1R0-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):103.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6645pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):272W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.15 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN1R0-25YLDX 功能描述:PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):71.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5308pF @ 12V FET 功能:肖特基二极管(体) 功率耗散(最大值):160W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):0.89 毫欧 @ 25A, 10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN130-200D,118 功能描述:MOSFET N-CH 200V 20A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):65nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2470pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 PSMN102-200Y,115 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21.5A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):30.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1568pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):113W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):102 毫欧 @ 12A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN1R2-30YLDX PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R4-30YLDX PSMN1R4-40YLDX PSMN1R5-25YL,115 PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YLC,115 PSMN1R5-40ES,127 PSMN1R5-40PS,127 PSMN1R6-30BL,118 PSMN1R6-30PL,127 PSMN1R6-40YLC,115 PSMN1R6-40YLC:115 PSMN1R6-60CLJ PSMN1R7-25YLC,115 PSMN1R7-25YLDX PSMN1R7-30YL,115
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