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PSMN2R1-40PL

配单专家企业名单
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  • PSMN2R1-40PLQ
    PSMN2R1-40PLQ

    PSMN2R1-40PLQ

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人：张小姐

    电话：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质：营业执照

  • 50000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT78

  • -

  • 授权代理/原厂FAE技术支持

  • PSMN2R1-40PLQ
    PSMN2R1-40PLQ

    PSMN2R1-40PLQ

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NXP/恩智浦

  • SMD

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PSMN2R1-40PL
    PSMN2R1-40PL

    PSMN2R1-40PL

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：刘小姐

    电话：15961889150

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • TO-220

  • 25+

  • -

  • 国产品牌，替代进口

  • PSMN2R1-40PL
    PSMN2R1-40PL

    PSMN2R1-40PL

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • NXP

  • TO-220AB

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • PSMN2R1-40PL
    PSMN2R1-40PL

    PSMN2R1-40PL

  • 深圳市百润电子有限公司
    深圳市百润电子有限公司

    联系人：梁

    电话：17876146278

    地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A

  • 38

  • NXP

  • TO220

  • 12+

  • -

  • 全新原装正品*海量现货库存*全网最低

  • PSMN2R1-40PLQ
    PSMN2R1-40PLQ

    PSMN2R1-40PLQ

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • TO-220AB

  • 18+

  • -

  • MOSFET N-CH 40V 150A...

  • PSMN2R1-40PLQ
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    PSMN2R1-40PLQ

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 275

  • NXP SEMIC

  • TUBE

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • PSMN2R1-40PL
    PSMN2R1-40PL

    PSMN2R1-40PL

  • 深圳市品业电子有限公司
    深圳市品业电子有限公司

    联系人：李小姐

    电话：0755-23895664

    地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55

  • 46766

  • NXP

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  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人：李瑞兵

    电话：18897698645

    地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Nexperia

  • 22+

  • -

  • 原装正品

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 150A TO-22
PSMN2R1-40PL 技术参数
  • PSMN2R0-60PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:137nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9997pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:338W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.2 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN2R0-60ES,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:137nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9997pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:338W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.2 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 标准包装:50 PSMN2R0-30YLE,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:87nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5217pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:272W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN2R0-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:46nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2969pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:142W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN2R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:64nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3980pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:97W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN2R5-60PLQ PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-60PSQ PSMN2R7-30BL,118 PSMN2R7-30PL,127 PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-40BS,118 PSMN2R8-40PS,127 PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R9-25YLC,115 PSMN2R9-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30YL,115 PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60ES,127 PSMN3R0-60PS,127
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