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PSMN2R2-30YLC,115

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PSMN2R2-30YLC,115
    PSMN2R2-30YLC,115

    PSMN2R2-30YLC,115

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 367220

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN2R2-30YLC,115
    PSMN2R2-30YLC,115

    PSMN2R2-30YLC,115

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 100

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 场效应管

  • PSMN2R2-30YLC,115
    PSMN2R2-30YLC,115

    PSMN2R2-30YLC,115

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 367220

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN2R2-30YLC,115
    PSMN2R2-30YLC,115

    PSMN2R2-30YLC,115

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • LFPAK56

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • PSMN2R2-30YLC,115
    PSMN2R2-30YLC,115

    PSMN2R2-30YLC,115

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 367220

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • PSMN2R2-30YLC,115
    PSMN2R2-30YLC,115

    PSMN2R2-30YLC,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN2R2-30YLC,115
    PSMN2R2-30YLC,115

    PSMN2R2-30YLC,115

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK, 电源-SO8

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 30V 100A...

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PSMN2R2-30YLC,115 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 30V 2.15mOhms
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
PSMN2R2-30YLC,115 技术参数
  • PSMN2R2-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):39nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2542pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):106W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN2R1-40PLQ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 150A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):150A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):87.8nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9584pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):293W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.2 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN2R0-60PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):137nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9997pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):338W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.2 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN2R0-60ES,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):137nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9997pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):338W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.2 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 标准包装:50 PSMN2R0-30YLE,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5217pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):272W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN2R7-30BL,118 PSMN2R7-30PL,127 PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-40BS,118 PSMN2R8-40PS,127 PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R9-25YLC,115 PSMN2R9-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30YL,115 PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60ES,127 PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R2-25YLC,115 PSMN3R2-30YLC,115 PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-60PLQ
配单专家

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