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PSMN2R9-25YLC

配单专家企业名单
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  • PSMN2R9-25YLC
    PSMN2R9-25YLC

    PSMN2R9-25YLC

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人：张先生

    电话：0755-23903058

    地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • SOT669

  • 22+

  • -

  • 每一片都来自原厂，正品保证

  • PSMN2R9-25YLC,115
    PSMN2R9-25YLC,115

    PSMN2R9-25YLC,115

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪宝宇

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 367238

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -

  • PSMN2R9-25YLC,115
    PSMN2R9-25YLC,115

    PSMN2R9-25YLC,115

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人：洪宝宇

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）

    资质：营业执照

  • 367238

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -

  • PSMN2R9-25YLC,115
    PSMN2R9-25YLC,115

    PSMN2R9-25YLC,115

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：13969210552

    地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 367238

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -

  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • PSMN2R9-25YLC,115
    PSMN2R9-25YLC,115

    PSMN2R9-25YLC,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN2R9-25YLC
    PSMN2R9-25YLC

    PSMN2R9-25YLC

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • NXP

  • LFPAK

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  • 一级代理.原装特价现货！

  • PSMN2R9-25YLC,115
    PSMN2R9-25YLC,115

    PSMN2R9-25YLC,115

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK， 电源-SO8

  • 18+

  • -

  • MOSFET N-CH 25V 100A...

  • PSMN2R9-25YLC
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 115

  • 15265

  • 1521+

  • NXP SEMIC

  • -

  • DIGI-REEL?

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 25V 100A LFPAK
PSMN2R9-25YLC 技术参数
  • PSMN2R8-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:139nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9961pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN2R8-40PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:71nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4491pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:211W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN2R8-40BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:71nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4491pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:211W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.9 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN2R8-25MLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:37.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2432pF @ 12.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:88W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线） 标准包装:1 PSMN2R7-30PL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:66nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3954pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:170W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN3R2-30YLC,115 PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-60PLQ PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80ES,127 PSMN3R3-80PS,127 PSMN3R4-30BL,118 PSMN3R4-30BLE,118 PSMN3R4-30PL,127 PSMN3R5-25MLDX PSMN3R5-30LL,115 PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-80ES,127 PSMN3R5-80PS,127 PSMN3R7-25YLC,115 PSMN3R7-30YLC,115 PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-30LL,115
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