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PSMN9R1-30YL

配单专家企业名单
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  • PSMN9R1-30YL
    PSMN9R1-30YL

    PSMN9R1-30YL

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • SOT-669

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • PSMN9R1-30YL
    PSMN9R1-30YL

    PSMN9R1-30YL

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NXP/恩智浦

  • SOT669

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PSMN9R1-30YL
    PSMN9R1-30YL

    PSMN9R1-30YL

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 8080

  • NXP/恩智浦

  • SOT-669

  • 23+

  • -
  • 实实在在-只做原装正品

  • PSMN9R1-30YL
    PSMN9R1-30YL

    PSMN9R1-30YL

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 638850

  • NXP

  • LFPAK

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,价格超越代理!

  • PSMN9R1-30YL,115
    PSMN9R1-30YL,115

    PSMN9R1-30YL,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN9R1-30YL
    PSMN9R1-30YL

    PSMN9R1-30YL

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质:营业执照

  • 6000

  • NXP/恩智浦

  • DFN56

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • PSMN9R1-30YL
    PSMN9R1-30YL

    PSMN9R1-30YL

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • NXP

  • LFPAK

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号.原装特价现货!

  • PSMN9R1-30YL
    PSMN9R1-30YL

    PSMN9R1-30YL

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • NXP

  • LFPAK

  • 18+

  • -
  • 原装正品,欢迎订购

  • PSMN9R1-30YL
    PSMN9R1-30YL

    PSMN9R1-30YL

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-88608801多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • NXP

  • LFPAK

  • 18+

  • -
  • 原装正品,欢迎订购

  • PSMN9R1-30YL,115
    PSMN9R1-30YL,115

    PSMN9R1-30YL,115

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK, 电源-SO8

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 30V 57A ...

  • PSMN9R1-30YL
    PSMN9R1-30YL

    PSMN9R1-30YL

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 7250

  • NXP

  • LFPAK

  • 1107+

  • -
  • 全新原装现货

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PSMN9R1-30YL PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
PSMN9R1-30YL 技术参数
  • PSMN9R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):61A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1006pF @ 12V 功率 - 最大值:46W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK, 电源-SO8 标准包装:1 PSMN9R0-30LL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1193pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN3333(3.3x3.3) 标准包装:1 PSMN9R0-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.1 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):694pF @ 12V 功率 - 最大值:34W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK, 电源-SO8 标准包装:1 PSMN9R0-25MLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):11.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):705pF @ 12.5V FET 功能:- 功率耗散(最大值):45W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.65 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线) 标准包装:1 PSMN8R7-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):90A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):52nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3346pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):170W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.7 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PS-MP PSMP-FSBA-1000 PSMP-FSBA-1042 PSMP-FSBA-1175 PSMP-FSBA-1755 PSMP-FSBA-1970 PSMP-FSBA-2380 PSMP-FSBA-2580 PSMP-MSLD-CSB PSMP-MSLD-PCE PSMP-MSLD-PCS PSMP-MSLD-PCSEM PSMP-MSLD-PCT1R PSMP-MSLD-PCT25 PSMP-MSLD-PCT35 PSMP-MSLD-PCTEM PSMP-MSSB-CSB PSMP-MSSB-PCS
配单专家

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