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PSMN9R8-30MLC,115

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PSMN9R8-30MLC,115
    PSMN9R8-30MLC,115

    PSMN9R8-30MLC,115

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1210

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PSMN9R8-30MLC,115
    PSMN9R8-30MLC,115

    PSMN9R8-30MLC,115

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 367339

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN9R8-30MLC,115
    PSMN9R8-30MLC,115

    PSMN9R8-30MLC,115

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 50

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 场效应管

  • PSMN9R8-30MLC,115
    PSMN9R8-30MLC,115

    PSMN9R8-30MLC,115

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 367339

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN9R8-30MLC,115
    PSMN9R8-30MLC,115

    PSMN9R8-30MLC,115

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 367339

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • PSMN9R8-30MLC,115
    PSMN9R8-30MLC,115

    PSMN9R8-30MLC,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN9R8-30MLC,115
    PSMN9R8-30MLC,115

    PSMN9R8-30MLC,115

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK33

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 30V 50A ...

  • PSMN9R8-30MLC,115
    PSMN9R8-30MLC,115

    PSMN9R8-30MLC,115

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1500

  • NEXPERIA

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • PSMN9R8-30MLC,115
    PSMN9R8-30MLC,115

    PSMN9R8-30MLC,115

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    联系人:

    电话:18320850923

    地址:深圳市福田区华强北路赛格广场1713室

  • 1185

  • NXP/恩智浦

  • LFPAK33

  • 14

  • -
  • 真芯合作锐意进取

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  • 1
PSMN9R8-30MLC,115 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
PSMN9R8-30MLC,115 技术参数
  • PSMN9R5-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):44A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):681pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):34W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.8 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN9R5-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):44.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.6 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):81.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4454pF @ 50V 功率 - 最大值:52.6W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 PSMN9R5-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):89A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):82nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):211W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.6 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN9R5-100BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):89A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):82nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):211W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.6 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PSMN9R1-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):57A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):16.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):894pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):52W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.1 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMP-FSBA-2380 PSMP-FSBA-2580 PSMP-MSLD-CSB PSMP-MSLD-PCE PSMP-MSLD-PCS PSMP-MSLD-PCSEM PSMP-MSLD-PCT1R PSMP-MSLD-PCT25 PSMP-MSLD-PCT35 PSMP-MSLD-PCTEM PSMP-MSSB-CSB PSMP-MSSB-PCS PSMP-MSSB-PCT1R PSMP-MSSB-PCT35 PSM-P-Y PS-MQX-MAINTMULT PS-MQX-MAINTPRFM PS-MQX-MAINTS
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