PUMD9115

配单专家企业名单

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说明
操作

PUMD9115
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
NXP
-
22+
-
原厂渠道，现货配单

PUMD9115
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
PH
07+
-
假一罚十，百分百原装正品

PUMD9115
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
NXP
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

PUMD9115
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4775
Nexperia
3K/reel
2237+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
BRT TRANSISTOR NPN & PNP 50V 100MA 1

PUMD9115 技术参数

PUMD9,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:P*MD9 标准包装:1 PUMD6,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:P*MD6 标准包装:1 PUMD48,165 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:47 千欧，2.2 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V / 100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:P*MD48 标准包装:1 PUMD48,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:47 千欧，2.2 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V / 100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PUMD4,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PUMH10Z PUMH11,115 PUMH11F PUMH13,115 PUMH13F PUMH14,115 PUMH15,115 PUMH16,115 PUMH17,115 PUMH17F PUMH18,115 PUMH19,115 PUMH2,115 PUMH2/DG/B3,115 PUMH20,115 PUMH24,115 PUMH2F PUMH30,115