供应IXFH35N30全新现货IXYS代理IXFH35N30功率MOSFET

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IXFH35N30全新现货IXYS代理IXFH35N30功率MOSFET 封装

部分编号：IXFH35N30
描述：高电压的Q -级HiPerFETs（高达1200V）
配置：单
包装样式号：TO - 247

特点
?国际标准封装
?低RDS（ON）HDMOSTM过程
?坚固的多晶硅栅单元结构
?非钳位感应开关（UIS）的
额定
?低电感封装
- 易于驱动器和保护
?快速内在整流器
应用
?DC - DC变换器
?同步整流
?电池充电器
?交换模式和谐振模式
电源供应器
?直流斩波器
?交流电机控制
?温度和照明控制
?低电压继电器
优势
?易于安装，带1个螺丝（至- 247）
（独立安装螺丝孔）
?节省空间
?高功率密度