FET 类型 | P 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 30 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A(Ta) | |
驱动电压 | 2.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻 | 44 毫欧 @ 4.3A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th) | 1.3V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) | 12.2 nC @ 4.5 V | |
Vgs | ±12V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) | 1200 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散 | 1.4W(Ta) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
电话:17862669251
联系人:洪先生 (先生)
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