类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 380 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.68nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 83pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 360mW(Ta),2.7W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DFN1006-3
封装/外壳 SC-101,SOT-883